| شماره قطعه | SI5406CDC-T1-GE3 | سازنده | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| شرح | MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8 | وضعیت وضعیت سرب / وضعیت RoHS | سرب آزاد / RoHS سازگار |
| مقدار موجود | 166271 pcs | ورق اطلاعات | SI5406CDC-T1-GE3.pdf |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | VGS (حداکثر) | ±8V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | کننده بسته بندی دستگاه | 1206-8 ChipFET™ |
| سلسله | TrenchFET® | RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) | بسته بندی | Tape & Reel (TR) |
| بسته بندی / مورد | 8-SMD, Flat Lead | نامهای دیگر | SI5406CDC-T1-GE3TR SI5406CDC-T1-GE3TR-N SI5406CDCT1GE3 |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount |
| سطح حساس رطوبت (MSL) | 1 (Unlimited) | وضعیت وضعیت سرب / وضعیت RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1100pF @ 6V | گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 32nC @ 8V |
| نوع FET | N-Channel | FET ویژگی | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 1.8V, 4.5V | تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 12V |
| توصیف همراه با جزئیات | N-Channel 12V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ | کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | از 35.00 دلار هزینه حمل و نقل اساسی به منطقه و کشور بستگی دارد. |
|---|---|---|
| DHL | www.DH( | از 35.00 دلار هزینه حمل و نقل اساسی به منطقه و کشور بستگی دارد. |
| یو پی اس | www.UPS.com | از 35.00 دلار هزینه حمل و نقل اساسی به منطقه و کشور بستگی دارد. |
| TNT | www.TNT.com | از 35.00 دلار هزینه حمل و نقل اساسی به منطقه و کشور بستگی دارد. |



